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透射电镜全角度三维重构样品杆
在普通三维重构样品杆的基础上升级而来,采用子弹头单轴360°旋转方式,全角度得到样品更多二维成像信息,避免锲形信息丢失。
透射电镜4孔样品杆
可将最多4个样品同时置入透射电镜中,与市面常见的3孔样品杆相比,大幅提高透射电镜的使用效率。全新的结构设计及超高精度的旋钮换样方式,帮助降低漂移率,提高成像质量。
透射电镜真空转移样品杆
可确保锂电类等容易和空气中水、氧等发生反应的敏感样品在从制样的手套箱转移到电镜的过程中不接触空气,保持样品的原始状态,避免氧化或内部结构发生变化。
CHIPNOVA高真空存杆仪的极限真空度为10-6 hPa,最多可同时为6根TEM样品杆提供高真空存储环境,避免暴露在空气中吸附湿气及纳米纤维等杂质,减少样品杆进电镜后的抽真空时间,延长样品杆使用寿命,大幅提高实验室工作效率。
透射电镜铜网双倾样品杆
全新的结构设计及超高精度的倾转控制方式,可以实现不同角度晶体微观结构和化学状态的高分辨成像观测。
SEM Vacuum Transfer Chamber(SEM真空转移仓),可将锂电材料、生物材料等样品从手套箱真空转移至扫描电镜样品仓,具有体积小巧、结构简洁、真空密封等优点,解决空气敏感类样品从制样到表征的真空转移问题。
MEMS静态液体池芯片
采用键合内封及环氧树脂外封的封装方式,将上下两个芯片组成一个液体池(Liquid Cell),在TEM内结合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多种不同模式,实现从纳米甚至原子层面实时、动态监测样品在液氛环境中的微观结构演化、反应动力学、相变、元素价态、化学变化、微观应力以及表/界面处的原子级结构和成分演化等关键信息。
多孔氮化硅载网
以高纯单晶硅为基底,超薄氮化硅(10-50nm)为支撑膜,采用超高温镀膜技术,具有低应力耐腐蚀耐辐照等特点,可实现原子级分辨率,尤其适合球差电镜原子分辨表征,非常方便在不同分析仪器间转移分析,如TEM、AFM、XRD、EXAFS、Raman等。