- 产品组成
- 独特优势
- 功能参数
- 应用案例
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a.气体加热样品杆 b.MEMS气体加热芯片 c.温度控制器 d.温度控制程序 e.高真空检漏仪 f.原位气氛纳流控安全管理系统 g.高精度芯片组装仪 h.附件包 -
气氛环境高分辨率：
1.独创的MEMS微加工工艺，使气体加热芯片视窗区域的氮化硅膜厚度最薄可达10 nm。
2.芯片封装采用键合内封以及环氧树脂外封双保险方式，使芯片间的夹层最薄仅约100~200 nm，此设计既保证电镜安全性，超薄夹层也
大幅减少对电子束的干扰，气相环境可清晰观察样品的原子排列情况，可达到皮米级分辨率。
高安全性：
1.采用纳流控专利技术，通过压电微控系统进行流体微分控制，实现纳升级微量流体输送，控制精度为5 nL/s，每次气体推送过程中，原
位纳流控系统及样品杆中冗余的气体量仅有微升级别，有效保证电镜安全。
2.采用高分子膜面接触密封技术，相比于o圈密封，增大了密封接触面积，有效减小渗漏风险。
3.采用超高温镀膜技术，芯片视窗区域的氮化硅膜具有耐高温低应力耐压耐腐蚀耐辐照等优点。
优异的热学性能：
1.高精密红外测温校正，微米级高分辨热场测量及校准，确保温度的准确性。
2.两电极的超高频控温方式，排除导线和接触电阻的影响，测量温度和电学参数更精确。
3.采用高稳定性贵金属加热丝（非陶瓷材料），既是热导材料又是热敏材料，其电阻与温度有良好的线性关系，加热区覆盖整个观测
区域，升温降温速度快，热场稳定且均匀，稳定状态下温度波动≤±0.01℃。
4.采用闭合回路高频动态控制和反馈环境温度的控温方式，高频反馈控制消除误差，控温精度±0.01℃。
5.独特多级复合加热MEMS芯片设计，控制加热过程热扩散，极大抑制升温过程的热漂移，确保实验的高效观察。
独有的多场耦合技术：
可在气相环境中实现光、电、热、流体多场耦合。
智能化软件和自动化设备：
1.人机分离，软件远程控制气体条件，全程自动记录实验细节数据，便于总结与回顾。
2.自定义程序升温曲线。可定义10步以上升温程序、恒温时间等，同时可手动控制目标温度及时间，在程序升温过程中发现需要变温及
恒温，可即时调整实验方案，提升实验效率。
3.内置绝对温标校准程序，每块芯片每次控温都能根据电阻值变化，重新进行曲线拟合和校正，确保测量温度精确性，保证高温实验的
重现性及可靠性。
4.全流程配备精密自动化设备，协助人工操作，提高实验效率。
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功能
参数
杆身材质
高强度钛合金
视窗膜厚
20nm,可升级10nm
温度范围
电极数
气体夹层
分辨率
适用电镜
Thermo Fisher/FEI, JEOL, Hitachi
温度稳定性
控温精度
温度均匀性
适用极靴
ST, XT, T, BioT, HRP, HTP, CRP，FHP,WGP
(HR)TEM/STEM
支持
(HR)EDS/EELS/SAED
支持
气体流速
流速精度
压力范围
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Morphology changes of a few selected PbSe nanocrystals when partially exposed to air. Sequential TEM images showing the mor- phology changes of (a) single, (b) two, and (c) three PbSe nano- crystals when partially exposed to air. (d) The projected area of the selected nanocrystals versus time shown in (a). (e) Schematics highlight the morphological evolution of PbSe nanocrystals observed in (a)‒(c). All PbSe nanocrystals eventually form thin films by solid-state fusion. Scale bar: 20 nm
PbSe纳米颗粒在O2气氛中加热融合
原位研究表明，当 PbSe 纳米晶体在电子束照射下暴露于空气(或氧气)时，它们会经历一系列变化，包括单个纳米晶 体与长方体中间体的形状演变、纳米晶体之间的聚结以及通过剧烈的固态融合形成 PbSe 薄膜。而 PbSe 薄膜转变为非 晶态富 Pb 相或最终变为纯 Pb，这表明 Se 与氧反应并可以在电子束照射下蒸发。最终实验结果表明，空气中的 PbSe 纳米晶体降解是由其表面的配体解离和去除引起的。
H.G. Liao, et al., Chemistry of Materials., 31, 190 (2018).
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